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Infineon Technologies AG
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Ad-hoc-Mitteilung News vom 13.11.2002
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DRAM-Entwicklungs- und Fertigungsallianz von Infineon und Nanya perfekt Infineon Technologies (FSE/NYSE: IFX), Muenchen, und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben endgueltige Vertraege ueber die strategische Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Damit koennen beide Partner ihre Marktposition fuer Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen. Der Vertrag sieht vor, die zukunftsweisenden 0,09-Mikrometer und 0,07-Mikrometer-Fertigungstechnologien fuer 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture fuer die Fertigung von DRAM-Chips gegruendet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan. In diesem wird dann auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt. Die maximale Kapazitaet der Produktion wird im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 gefertigt werden. Das neue 300-mm-Halbleiterwerk wird - abhaengig von dem Wachstum und der Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes - in zwei Stufen errichtet. Im zweiten Halbjahr 2004 soll das Werk in der ersten Ausbaustufe zunaechst eine Kapazitaet von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen und bis Mitte 2006 soll die Produktion in der zweiten Ausbaustufe auf eine Kapazitaet von rund 50.000 Waferstarts pro Monat erweitert werden. Damit ist das neue Halbleiterwerk eines der groessten der Welt. Das Investitionsvolumen fuer die naechsten drei Jahre betraegt insgesamt rund 2,2 Milliarden Euro. Fuer die gesamten Investitionen in die innovative Speicherfertigung werden Infineon und Nanya bis 2005 jeweils 550 Millionen Euro einbringen, wobei der Hauptteil zum Hochlauf der Fertigung im Jahr 2004 und 2005 anfaellt. Informationen und Erläuterungen des Emittenten zu dieser Ad-hoc-Mitteilung: Bei maximaler Auslastung des Werks werden bis zu 1.300 Arbeitsplaetze in Taiwan geschaffen. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Naehe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Vorbehaltlich der Zustimmung durch die Kartellbehoerden wird das Gemeinschaftsunternehmen zum 2. Dezember 2002 seine Geschaeftstaetigkeit aufnehmen. 'Mit dieser strategischen Partnerschaft in der Wachstumsregion Asien setzen wir unsere Offensive im Weltmarkt fuer Speicherprodukte erfolgreich fort und bauen unsere Position unter den drei weltweit besten Halbleiterherstellern weiter aus', erlaeuterte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. 'Durch die kosteneffiziente Erhoehung der Produktionskapazitaeten gewinnen wir neue Marktanteile hinzu und bauen damit unseren weltweiten Marktanteil bei Speicherchips zielstrebig auf ueber 20 Prozent aus.' 'Durch die Partnerschaft buendeln wir unsere Staerken. Damit kann Nanya sein Ziel erreichen, zu den weltweit fuehrenden Halbleiterzulieferern zu gehoeren', kommentierte Dr. Jih Lien, Praesident von Nanya Technologies. 'Wir glauben, dass Nanya mit der zusaetzlichen Kapazitaet zum viertgroessten DRAM-Hersteller mit einem zweistelligen Marktanteil aufsteigen wird.' Die am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickelte neue Fertigungstechnik wird in den beiden Unternehmen und auch im neuen Joint Venture eingesetzt. Weiterhin ist eine gemeinsame Entwicklung von Leitprodukten in 0,09-Mikrometer-und 0,07-Mikrometer-Technik in Muenchen vorgesehen. In die Entwicklungsprojekte bringen Infineon und Nanya zusammen mehr als 120 Mitarbeiter ein. Erste Speicherprodukte auf 300-mm-Wafern und in dem neuen 0,09-Mikrometer-Prozess werden Ende 2003 vom Band laufen. Zudem ist vorgesehen, die 0,09-Mikrometer-Fertigungstechnik auch fuer 200-mm-Wafer einzusetzen. Infineon schafft bereits die ersten technischen Voraussetzungen fuer die 0,09-Mikrometer-Fertigungstechnik und hat beispielsweise in diesem November erste Demonstratoren mit neuem Zelldesign und neuen Materialien gefertigt. Die gemeinsame Entwicklung der kuenftigen Fertigungstechnik erfolgt auf Basis der hochentwickelten DRAM-Trench-Technologie fuer 300-mm-Wafer von Infineon, die das Unternehmen an Nanya lizenziert. In Kombination mit der hervorragenden Flaecheneffizienz und der hohen Kapazitaet der Trench-Technologie bringt der Wechsel zu den kleineren 0,09-Mikrometer- und 0,07-Mikrometer-Strukturen beim Chipaufbau kuenftig einen weiteren Produktivitaetsschub in der Fertigung. Das neue Gemeinschaftsunternehmen in Taoyuen wird in den internationalen Verbund der DRAM-Fertigungsstandorte von Infineon eingegliedert. Die globale Vernetzung der Speicherfabriken von Infineon sichert weltweit an allen Standorten gleich hohe Qualitaetsstandards sowie einen staendigen Erfahrungsaustausch. Ueber Nanya Die Nanya Technology Corporation (NTC) wurde am 4. Maerz 1995 gegruendet. NTC beschaeftigt sich mit Forschung und Entwicklung, Design, Fertigung und Vertrieb von Halbleiter-Produkten. Als Vorstandsvorsitzender leitet Y.C. Wang die Firma, deren groesster Aktionaer die Nanya Plastics Corporation (Formosa Plastic Group) ist. NTC begann 1996 mit der Halbleiterproduktion und eroeffnete 1997 sein nordamerikanisches Buero in San Jose, Kalifornien. Seit 1997 bietet die Firma ihre Foundry-Dienstleistungen an. Weitere Informationen ueber Nanya Technology sind unter Tel. +1-408 441 7819 oder http://www.nanya.com erhaeltlich. Der NTC-Hauptsitz in Taiwan ist unter Tel. 886-3-328-1688 oder http://www.ntc.com erreichbar. Ueber Infineon Infineon Technologies AG, Muenchen, bietet Halbleiter- und Systemloesungen fuer die Automobil- und Industrieelektronik, fuer Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere Mobilfunk-Loesungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit taetig und steuert seine Aktivitaeten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschaeftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol 'IFX' notiert. |
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