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Infineon Technologies AG
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Pressemitteilung vom 09.08.2004
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Infineon unterstreicht führende Position bei Speichermodulen für die nächste Server-Generation - erster Testchip für Fully Buffered DIMMs München, 9. August 2004 – Infineon Technologies AG hat den ersten AMB (Advanced Memory Buffer)-Testchip für die nächsten Generation von Server-Speichermodulen auf Basis von DDR 2 (Double Data Rate 2)-DRAMs erfolgreich getestet. Der AMB ist die zentrale Komponente für Fully Buffered (vollständig gepuffert) Dual-Inline-Memory-Modules (FB-DIMMs), die als künftiger Standard für Serverspeicher angesehen werden. Infineon kombiniert hier seine Expertise bei HF (Hochfrequenz)-Chips bzw. DRAMs und nimmt so eine führende Rolle bei der Entwicklung von AMBs und FB-DIMMs ein. Die fortlaufende Einführung von schnelleren DRAM-Technologien wie DDR2 oder DDR3, parallel zum ständig steigenden Speichervolumen in Servern, resultiert in technischen Anforderungen, die eine neuartige innovative Speicherarchitektur erfordern. Bisher eingesetzte Speichermodule sind an den Speicher-Bus parallel angebunden (Multi-Drop-Bus-Architektur). Mit der neuen Speicher-Bus-Architektur der FB-DIMMs wird eine Point-to-Point-Verbindung zwischen dem Speicher-Controller und dem ersten Speichermodul sowie den folgenden Speichermodulen eingeführt. Damit ist der Bus-Zugriff unabhängig von der DRAM-I/O-Geschwindigkeit und ermöglicht so hohe Speicherkapazitäten mit schnellen DRAMs. Der AMB-Chip befindet sich auf jedem FB-DIMM und sorgt für die Verteilung der Daten zwischen den DRAMs auf dem DIMM. Dabei puffert er die Daten intern und sendet oder empfängt sie von dem nächsten DIMM bzw. Speichercontroller. Aufgrund seiner zentralen Rolle ist der AMB-Chip eine entscheidende Komponente für die neue FB-DIMM-Architektur. „Wir wollen uns als führender Anbieter von FB-DIMMs etablieren und erwarten uns einen wesentlichen Marktanteil für diese profitablen hochvolumigen Produkte im Server- und Workstation-Markt“, sagte Dr. Carsten Gatzke, Senior Director Produkt Marketing des Geschäftsbereiches Speicherprodukte bei Infineon. „Das umfassende Know-How von Infineon beim HF-Chip-Design zusammen mit der weitreichenden Expertise bei DRAMs sind die Basis für diese wichtigen Entwicklungserfolge“, ergänzte Christian Scherp, Vice President und General Manager des Geschäftsbereiches Drahtgebundene Kommunikation, Infineon Technologies North America. „Wir werden diese weitreichenden Kompetenzen nutzen, um die weitere Entwicklung von AMBs voranzutreiben und herausragende Lösungen für die sich entwickelnden Märkte anbieten zu können.“ „Die neue von Jedec (Joint Electronic Device Engineering Council) spezifizierte Fully Buffered-Technologie bietet die ideale Möglichkeit sowohl die Geschwindigkeit als auch die Speicherkapazität der DIMMs für Server-Plattformen zu erhöhen. Die Buffer-Technologie ermöglicht zudem einen nahtlosen Übergang von der DDR2- auf die DDR3-Generation. FB-DIMMs haben das Potenzial ab 2006 und darüber hinaus zu einer wichtigen neuen Server-Speichertechnologie zu werden“, sagte Tom MacDonald, Vice President und General Manager der Advanced Chipset Division von Intel. „Anbieter von Server-Equipment haben den Bedarf an gepufferten DRAM-Lösungen erkannt, während die Anstrengungen von Firmen wie Infineon die Einführung dieser neuartigen und leistungsfähigen Speicher-Technologie beschleunigen und vereinfachen werden.“ Der AMB-Testchip von Infineon implementiert erstmals die kritischen schnellen Input/Output (I/O)-Stufen mit anderen Hochgeschwindigkeitsmerkmalen, wie den Schaltungen für den Dateneingang bzw. -weitergabe, auf einem Logikprozess von Infineon. Der FB-DIMM-Standard sieht ein Daten-Multiplexing mit dem Faktor 6 vor, um bei höheren Geschwindigkeiten die notwendige physikalische Speicherkanalbreite zu reduzieren und die Latenzzeit zu minimieren. Die maximal erforderliche Datenrate pro I/O-Pin beträgt 4,8 Gbit/s (bei DDR2 800), während der AMB-Testchip von Infineon eine Datenrate von 6,0 Gbit/s erreichte. Damit stehen ausreichend System-Ressourcen zur Verfügung, während gleichzeitig geringste Bitfehler-Raten gewährleistet sind. Auf diesem Entwicklungs-Erfolg aufbauend, kann Infineon nun anhand von realen Messdaten das Schaltungsdesign weiter optimieren. Entwicklungsmuster des FB-DIMMs mit DDR2-DRAM-Chips sollen ab dem 4. Quartal 2004 verfügbar sein. Die Markteinführung ist für die zweite Jahreshälfte 2005 geplant. |
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